很多技術(shù)再設(shè)計(jì)產(chǎn)品，選擇歐姆龍繼電器的時(shí)候都會(huì)有個(gè)疑慮，為什么要選擇歐姆龍MOSFET繼電器而不直接選擇繼電器呢？他們之間的區(qū)別又有哪些呢？

在說兩者的不同之前，我們先了解一下歐姆龍MOS FET繼電器有些什么特點(diǎn)：它有超小輕量型、低驅(qū)動(dòng)電流 、壽命長、漏電流微小、優(yōu)異的抗沖擊性、高絕緣性、可正確控制微小模擬信號(hào)、靜音及高速/快速反應(yīng)性能等九大優(yōu)點(diǎn)

而兩者之間的區(qū)別如下：

阻抗不同，為了實(shí)施開關(guān)動(dòng)作，其耗電量不同

（1）MOSFET為電壓控制的(voltage-controlled)組件，也就是為了能在漏極端有電流產(chǎn)生，必須在閘極與源極之間，提供額定的電壓值，由于MOSFET的閘極端與源極端之間會(huì)被氧化硅層(silicon oxide layer)作電氣上的隔離，因此，僅有微量的漏電流會(huì)由所供應(yīng)的電壓源進(jìn)入閘極。所以MOSFET具有極高的增益與極高的阻抗。 

（2）繼電器是通過線圈控制的，必須施加電流，其阻抗低，為了開關(guān)耗費(fèi)的電量相對(duì)大一些。

2、關(guān)斷原理不同

（1） 要將MOSFET關(guān)閉（OFF）時(shí)，只要將閘極至源極電壓移去，即可將MOSFET達(dá)至OFF狀態(tài)。在移去閘極電壓時(shí)電晶體會(huì)關(guān)閉，此時(shí)漏極與源極之間會(huì)呈現(xiàn)非常高的阻抗，因而除了漏電流（幾微安培），可抑制其它的電流產(chǎn)生。

繼電器是通過改變繼電器線圈的電流，實(shí)現(xiàn)觸點(diǎn)分離，理論上可以說，斷開后沒有漏電流。

3、雖然MOSFET繼電器需要合理設(shè)計(jì)電路才能實(shí)現(xiàn)常開（常閉）開關(guān)，但換一個(gè)角度來看，在儀表儀器、醫(yī)療設(shè)備、防盜、防災(zāi)系統(tǒng)設(shè)備、多媒體電視機(jī)、掃描儀、可編程控制器、家庭自動(dòng)化裝置等等等等等的應(yīng)用產(chǎn)品上，MOSFET繼電器也能更好的將產(chǎn)品的內(nèi)部使用感、產(chǎn)品壽命呈現(xiàn)出來，從而發(fā)揮其最佳功能。